晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是什么

分别是：1、截止区，指晶体管输出特性曲线中晶体管输入电流为0所对应曲线下方的区域；2、放大区，指晶体管输出特性曲线中每条曲线近似水平部分的集合所对应的区域；3、饱和区，指集电结和发射结均正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域。

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晶体管输出特性曲线主要包括3个区域：截止区，放大区，饱和区。3个区域表示晶体管不同的工作状态。下面根据3个区域分别介绍晶体管的输出特性。

截止区

晶体管截止区是指晶体管输出特性曲线中晶体管输入电流为0所对应曲线下方的区域。对于共射接法的晶体管，截止区是指晶体管输出特性曲线中Ib=0曲线下方的区域，而Ib=0是因为Vbe<Von，即基射电压低于死区电压，故也可将截止区定义为Vbe<Von的区域。

在截止区内，基极电流Ib=0，集电极电流Ic≤Icbo，几乎等于0，仅有极微小的反向穿透电流Iceo流过，硅三极管的Iceo通常都在1μA以下。事实上，应该把Ie=0，即Ic≤Icbo的区域叫做截止区。此时，集电结和发射结均处于反向偏置状态。

放大区

晶体管放大区是指晶体管输出特性曲线中每条曲线近似水平部分的集合所对应的区域。这表明，在集射电压U(CE)一定的范围内，集电极电流I(C)与U(CE)无关，只取决于I(B)的值。根据这一特性，可实现利用I(B)的变化去线性地控制I(C)的变化，从而实现电流的线性放大，故放大区也成为线性区。此时，发射结正偏，集电结反偏，I(C)=β·I(B) , 且△I(C) =β·△I(B)。

饱和区

晶体管饱和区是指集电结和发射结均正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，也称饱和工作区。对于共射接法晶体管，饱和区是I(B)>0和U(CE)<0.7V的区域。

当U(CE)<0.7V时，U(CB)=U(CE)<U(BE)，集电结正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集电结吸引来自发射区多子的能力大大下降，已经“饱和”了。也可以用曲线U(CE)=U(BE)作为饱和区和放大区的分界线。

综上，晶体管在饱和区内工作时的主要特点有：

（1）集电结和发射结均正偏；

（2）I(C)取值与U(CE)有很大关系，I(C)随U(CE)的增大而增大；

（3）I(C)取值与I(B)不成比例，线性放大无法实现；

（4）晶体管没有放大作用，集电极和发射极相当于短路，可与截止区配合，用于开关电路。

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